Samsung представила 14-нм технологии FinFET в для 144MP датчиков изображения

By | December 17, 2019
Spread the love
  •  
  •  
  • 2
  •  
  •  
  •  
  •  
    2
    Shares

Обычно, когда мы говорим о Нм это про последний чипсет. Тем не менее, Samsung командой на конференции IEDM 2019 представила технологию перспективной 144MP датчики изображения на основе всего процесс FinFET 14 нм.

Главная задача заключается в том, что датчики изображения должны работать при относительно высоком напряжении (2В и выше) и все дизайнеры чипсет стремиться к минимально возможной напряжение (как это снижает энергопотребление и тепловыделение).

По мнению исследователей Samsung по технологии 14 нм FinFET в позволит сократить 42% потребления электроэнергии в 144MP датчика во время съемки по 10 кадров в секунду. На 12Мп индикация на 30-120 кадров в секунду (например, видеозапись), то экономия электроэнергии может составить до 37%.

Samsung details plans for image sensors built on a 14nm FinFET process
Samsung details plans for image sensors built on a 14nm FinFET process
Планы Samsung детали для датчиков изображения, построенные на процесс FinFET 14 нм

Обратите внимание, что данное объявление не имеет ничего общего с размером пикселя – вместо 14 нм относится к транзисторам, которые усиливают сигнал, поступающий из пикселей наряду с другими аналоговыми и цифровыми аппаратными средствами обработки, что на сенсор изображения.

Источник

Baca Juga  Председатель правления Samsung уходит в отставку после трудового законодательства нарушение наказание